Кластерная установка МЛЭ MBE-1000

Система молекулярно-лучевой эпитаксии MBE-800P — исследовательско-прикладная установка с 12 портами для испарительных источников (12×CF100) для исследования различных систем материалов. Одновременно выращивает структуры на 3 подложках 3″ или 6 подложках 2″. Двухзонный нагрев подложки, криоэкран на жидком азоте и маломощная насосная группа обеспечивают компактность и энергоэффективность. Высокая производительность при экономии средств.

Система MBE-600 хорошо подходит для работы с материалами III-V и II-VI групп, обеспечивая эпитаксиальный рост структур на подложках 1, 2 и 3 дюйма. Конструкция с вертикальной камерой и современные компоненты гарантируют точный послойный рост. Система отличается надёжностью, универсальностью и компактностью, что делает её особенно подходящей для научно-исследовательских работ. Стандартная версия включает 10 портов: 7 фланцев DN63CF (4,5″) и 3 фланца DN35CF (2,75″).

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии MBE-800 предназначена для эпитаксиального роста материалов на 4-дюймовых пластинах. Стандартная версия оснащена двухзонным нагревателем подложки и 12 портами для испарительных источников, обеспечивая послойный рост сложных тонких плёнок. Модифицированная версия поддерживает ионно-лучевое напыление. Система отличается надёжностью, универсальностью и компактностью, подходит для прикладных исследований.

Система MBE-2000 — промышленная установка молекулярно-лучевой эпитаксии, экономичная, высокопроизводительная. До 9×4″, 4×6″, 15×3″ или 32×2″ подложек. Полная автоматизация переноса образцов, калибровки пучка и эпитаксиального роста обеспечивает круглосуточный режим серийного производства. In-situ мониторинг в реальном времени — RHEED, BFM, RGA — и резервные порты для дополнительного контрольного оборудования. Модульная мульти-камерная конфигурация с двумя независимыми ростовыми модулями.