Заслонка парового источника

Источники серии HT обеспечивают 1700–2000°C для испарения тугоплавких металлов — скандия, титана и др. Зона нагрева из термостойких тантала и вольфрама с низким давлением паров исключает загрязнение примесями. Самонесущие нагревательные провода устраняют изоляцию в горячих зонах, керамика (PBN) — только в низкотемпературных. Тигель изготавливается из термостойкого металла или керамики, для активных металлов — композитный с керамической облицовкой.

Клапанная ячейка крекинга серии VPC предназначена для испарения фосфорсодержащих материалов и формирования стабильного пучка фосфора в сверхвысоковакуумной среде. Красный фосфор нагревается в тигле большой ёмкости, пары конденсируются в воздухоохлаждаемой зоне с образованием белого фосфора. Регулирующий клапан с обратной связью по крутящему моменту обеспечивает точный контроль пучка и автоматическую калибровку нуля. Пары попадают в зону крекинга с образованием активного пучка P2.

ВЧ плазменный источник RFPS специально разработан для получения высокопоточных активных нейтральных частиц. Через катушечную структуру он стимулирует и генерирует плазму в вакуумной камере. Возбуждающие газы включают H₂, N₂, O₂, инертные газы и другие среды — с лучшей стабильностью и более точным управлением. Источник обеспечивает высокопоточные атомарный водород, кислород и азот для систем МЛЭ и пассивации. Специальная сопловая пластина подавляет повреждение подложки.

Низкотемпературный источник серии LT разработан для материалов с высоким давлением насыщенных паров: Cd, Mg, Zn, Te, Sr, Yb, Ca, CdTe, ZnTe, Bi, Pb. Конструкция включает две зоны нагрева и промежуточную изолирующую зону, в которой градиент температуры между нижним тиглем и соплом регулируется соотношением мощностей. Промежуточная зона рассеивает тепло. Два комплекта термопар типа K измеряют температуру в обеих частях тигля. Верхний тигель с покрытием PG улучшает однородность пучка.

Источник крекинга серии AH — экономичный источник атомарного водорода, обеспечивающий крекинг высокочистого H₂ при 1800–2200°C. Применяется для очистки подложек, удаления оксидов, стимулирования атомарной миграции и регулирования скорости роста GaN. Вольфрамовый нагреватель дополнен водоохлаждаемыми фланцами для снижения теплового излучения. Специальная диффузорная пластина контролирует распределение атомарного водорода. Источник производит только атомы и молекулы H₂, не повреждая подложку.

Источник CBr4 — альтернатива термическим источникам крекинга углерода, не требующая газа-носителя. Обеспечивает глубокое легирование углеродом арсенида галлия и AlGaSb методом прямого испарения, 64 ступени подачи газа покрывают разные процессы. Газовый шкаф с панелью управления размещается рядом с МЛЭ. Баллон CBr4 нагревается водяной баней, трубопровод и вводное устройство обогреваются для предотвращения конденсации. Отходящие газы удаляются коррозионностойким насосом.